材料工学科 研究室紹介
半導体デバイスの高性能化はそのサイズの微細化によりもたらされた面が大きく、使用される薄膜はナノメートルのオーダーまで薄くなっています。
このような微小な世界では、電子が壁を突き抜けるなど、日常では考えられない様々の興味深い現象が観測され、新しい機能をもったデバイスへの応用が進んでいます。
また、ナノメートル程度の厚さのきれいな膜を実際に作製するためには、原子レベルで薄膜の成長を制御する必要があり、結晶成長に関する理解が欠かせません。
そこで、本研究室では今後の半導体デバイスの発展に欠かせない基礎的な知見を得ることを目的として、（１）走査プローブ顕微鏡等を用いた薄膜成長に関する研究、（２）半導体薄膜の基礎物性に関する研究、の二つを大きな柱として研究を進めています。
走査トンネル顕微鏡(STM)によるシリコン表面の観察
半導体特性の測定